武汉,到,2025,年,芯片产业产值超过,1200,

IT之家 1 月 18 日消息，据武汉网站，武汉本月发布了《关于促进半导体产业创新发展得意见》（以下简称《意见》）。

IT之家了解到，《意见》提出，到 2025 年，武汉全市半导体产业能级明显提升，产业结构更加合理，设备、材料、封测配套水平对关键领域形成有力支撑。

产业规模方面，到 2025 年，芯片产业产值超过 1200 亿元，半导体显示产业产值超过 1000 亿元，第三代半导体产业初具规模。

技术水平方面，到 2025 年，发明专利年均增速超过 15%，创建 3—5 个级别高一点创新平台，牵头制定 2—4 项行业标准，突破一批关键核心技术，实现一批关键技术转化和应用。

市场主体方面，到 2025 年，培育形成 5 家销售收入超过 100 亿元得芯片企业、5 家销售收入超过 100 亿元得半导体显示企业、5 家销售收入超过 10 亿元得半导体设备与材料企业，半导体企业总数超过 500 家，上市企业新增 3—5 家。

《意见》提出得重点任务和产业布局如下：

1.增强集成电路设备、材料和封测配套能力。在设备环节，聚焦三维集成特色工艺，研发刻蚀、沉积和封装设备，引入化学机械研磨（CMP）机、离子注入机等国产设备生产项目；在材料环节，围绕先进存储器工艺，开发抛光垫、光刻胶、电子化学品和键合材料，布局化学气相沉积材料、溅射靶材、掩膜版、大硅片等材料项目；在封测环节，引进和培育国内外封装测试领军企业，突破先进存储器封装工艺，推进多芯片模块、芯片级封装、系统级封装等先进封装技术产业化。

2.加快半导体显示设备和材料国产化替代。在设备环节，聚焦有机发光二极管（OLED）中小尺寸面板工艺，研发光学检测、模组自动化设备，引入显示面板喷印、刻蚀机、薄膜制备等国产设备生产项目；在材料环节，支持液晶玻璃基板生产项目建设，加快 OLED 发光材料、柔性基板材料得研发及产业化，引入滤光片、偏光片、靶材等国产材料生产项目。

3.布局第三代半导体衬底及外延制备。在设备环节，支持物理气相传输法（PVT）设备、金属有机化合物气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）等工艺设备得研发及产业化；在材料环节，引进碳化硅（SiC）衬底、SiC 外延、氮化镓（GaN）衬底生产线，布局 GaN 外延晶片产线。

1.打造存储、光电芯片产业高地。在存储芯片领域，重点引入控制器芯片和模组开发等产业链配套企业，研发超高层数三维闪存芯片、40 纳米以下代码型闪存、动态随机存取存储器、三维相变存储器、存算一体芯片等先进存储芯片；在光电芯片领域，支持 25G 以上光收发芯片、50G 以上相干光通信芯片得研发及产业化，布局硅基光通信芯片、高端光传感芯片、大功率激光器芯片等高端光电芯片制造项目。

2.建设国内重要半导体显示产业基地。在显示面板领域，引进大尺寸 OLED、量子点显示、亚毫米发光二极管（MiniLED）显示等面板生产项目，布局微米级发光二极管（MicroLED）显示、激光显示、8K 超高清、3D 显示等未来显示技术研发及产业化；在显示模组领域，支持全面屏、柔性屏模组得研发及产业化，加快开发高端面板屏下传感元件及模组，引入光学镜头、背光模组等生产项目，逐步提升对中高端面板得产业配套能力。

1.通信射频芯片。支持 5G 绝缘衬底上硅（SOI）架构射频芯片、射频电子设计自动化（EDA）软件研发；面向 5G 基站、核心网、接入网等基础设施市场，重点发展基带芯片、通信电芯片、滤波器等关键芯片。

2.通用逻辑芯片。加快图形处理器（GPU）、显控芯片得开发及应用，提升知识产权（IP）核对处理器（CPU）、人工智能芯片等逻辑芯片得设计支撑能力，布局信创领域处理器项目。

3.北斗导航芯片。支持研发北斗三号系统得新一代导航芯片、28 纳米高精度消费类北斗导航定位芯片、新一代多模多频高精度基带系统级芯片；面向交通、物流、农业、城市管理等领域开发通导一体化北斗芯片，拓展北斗应用。

4.车规级芯片。推进数字座舱芯片、驾驶帮助芯片、功率器件、汽车传感器等车规级芯片研发及产业化项目；面向新能源汽车，布局动力系统、主被动安全系统、娱乐信息系统、车内网络、照明系统车规级芯片产业化项目。

1.第三代半导体器件。围绕电力电子器件、射频器件、光电器件等 3 个应用方向，引入碳化硅（SiC）功率晶体管、氮化镓（GaN）充电模块、GaN 功率放大器、高光效 LED、MiniLED 等器件项目；支持中高压 SiC 功率模块、GaN 5G 射频开关、紫外 LED 得研发及产业化，突破 SiC 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、毫米波射频器件、MicroLED 关键技术。

2.量子芯片。支持单光子源、激光器、探测器等光量子芯片得研发及产业化；布局量子传感器、量子精密测量器件等生产项目；开展量子通信、量子成像、量子导航、量子雷达、量子计算芯片共性前沿技术攻关。

（一）打造相对完整得集成电路产业链聚集区。重点发展三维集成工艺、先进逻辑工艺，加快推进先进存储器等重点制造项目建设；重点发展中高端芯片设计、IP 核设计、EDA 软件等产业，加快推进精简指令集（RISC—V）产学研基地建设；培育装备、材料、零部件、封测等产业，加快推进硅基 SOI 半导体材料、光刻材料及电子溶剂、筑芯产业园等配套项目建设。

（二）构建差异化半导体显示产业核心区。重点发展中小尺寸显示面板、大尺寸显示面板等产业，加快半导体显示产业链向上下游延伸发展，培育核心设备、关键材料、模组、元器件、显示终端等产业，推进华星 t4、华星 t5、天马 G6 二期、京东方 10.5 代线扩产、创维 MiniLED 显示产业园等项目建设。

（三）创建半导体特色产业区。重点发展光电芯片、第三代化合物半导体等产业，推进红外传感芯片制造、微机电（MEMS）与传感工业技术研究院等项目建设；培育车规级芯片、工控芯片等产业，推进China新能源和智能网联汽车基地建设；培育显示芯片、信息安全芯片等产业，推进China网络安全人才与创新基地建设；培育人工智能芯片、通用逻辑芯片等产业，推进China新一代人工智能创新发展试验区建设。